常用电脑硬件技术术语有哪些？

常用电脑硬件技术术语有哪些？

芯片组：芯片组是主板的灵魂，它决定了主板所能够支持的功能。目前市面上常见的芯片组有Intel、VIA、SiS、Ali、AMD等几家公司的产品。其中，Intel公司的主流产品有440BX、i820、i815/815E等。VIA公司主要有VIA Apollo Pro 133/133A、KT 133等芯片组。SiS公司主要是SiS 630芯片组。Ali公司主要有Ali Aladdin TNT2芯片组、AMD则有AMD 750芯片组。其中，除了Intel公司的i820、i815/815E芯片组以外，所有的芯片组都是由两块芯片构成：靠近CPU的那一块叫做北桥芯片，主要负责控制CPU、内存和显示功能；靠近PCI插槽的那一块叫做南桥，主要负责控制输入输出(如对硬盘的UDMA/66/200模式的支持)，软音效等。而Intel公司的i820、i815/815E芯片组采用了新的结构，由三块芯片构成。分别是MCH(memory controller hub，功能类似于北桥)、ICH(I/O controller hub，功能类似于南桥)、FWH(Fireware hub，功能类似于BIOS芯片)。由于新的芯片组使用专门的总线(一般称为加速集线器结构AHA，Acclerated hub Architecture)来连接主板的各设备，而不是像原来那样使用PCI总线进行数据传输，因此在多设备工作时有比较大的效能提高。

CPU接口：由于市场上主流的CPU大多是Intel和AMD两家公司的产品，所以主板上常见的也只有Socket 370(支持Intel新赛扬和coppermine“铜矿”处理器)，Slot 1(支持Intel赛扬和老PIII处理器，也可以加转接卡支持Socket 370处理器)，Slot A(支持AMD Athlon处理器)，Socket A(支持AMD新Athlon和Duron处理器)等几种接口。不同的接口之间不能通用(只有SLOT 1接口可以加转接卡支持Socket 370处理器)。大家购买时要认清。

新型实用型技术：
a.软跳线技术：所谓跳线，就是一组通断开关，通过对通、断的不同组合，来达到调整CPU频率或者实现一些其他功能(如调整电压)的目的。以前的跳线一般是由一组金属针脚或拨指开关组成。自从升技公司的经典软跳线技术Softmenu出现以后，有不少的厂商也加入这项功能，即可以在BIOS中直接设定CPU频率和电压等。但由于前段时间CIH等病毒对BIOS破坏比较严重，所以一些公司还是保留了硬跳线(如DIP开关)等功能。

b.新的BIOS升级技术：以前的BIOS升级被视为“高手”的专利。因此其有一定的风险，所以普通用户不敢轻易涉足。但是一些厂商开发了一些特殊的BIOS升级功能，使得BIOS升级再不会像以前那样危险和神秘了。 比如微星新的815主板就可以在Internet上直接升级，只要你连上网络，系统将自动检测你的BIOS版本，如果发现你所使用的产品有新的BIOS文件，将会自动下载并更新，大大减少了用户的操作。使BIOS更加简单。

c.节能功能：目前的节能功能主要有STD和STR两种。STD(Suspend to Disk)，挂起到硬盘，是指系统在深度休眠时，将目前的资料保存在硬盘上，当再次开机时可以省去重启的时间，目前STD技术已属于淘汰的类型，更新的是STR技术。STR(Suspend to Ram)，挂起到内存，即当系统深度休眠时将资料保存在内存中，重启到原来的状态只需要3秒左右。目前的较新的主板(如815主板)都支持此技术。

d.异步内存调整技术： 在VIA的芯片组VIA Apollo Pro 133/133A和KT 133等中，有一项内存和外频异步运行的功能。就是在标准外频下(如66MHz或100MHz等)，可以将内存运行的频率比外频低33MHz或高33MHz。这项技术极大地方便了一些老用户，这样就可以使用将比较新的内存和比较老的CPU(或比较老的内存和比较新的CPU)进行合理搭配，充分发挥其功能。但要注意的是，如果在非标准外频下(如83MHz)，那么内存运行的频率将不会按照这个规律增加，具体的增加值会因具体情况有所不同。

e.扩展槽分频技术： 每一个类型的总线都有自己额定的运行频率，如果超过太多，就可能使设备运行不正常。比如PCI设备的额定频率是33MHz，AGP设备的额定频率是66MHz。当外频运行在100MHz时，PCI设备就需要工作在外频的三分之一才能保证设备正常运行(如声卡等设备)，这就是通常所说的三分频；如果一旦外频在1333MHz上，PCI设备就需要四分频了。如果外频再往上升，即使是四分频，也会比标准频率高出不少，而且AGP设备通常只支持二分频，所以在高外频下(如150MHz)，如果PCI设备(声卡)或AGP设备(显卡)质量不好，将严整影响整个系统的超频性能。目前PCI总线只支持四分频，而AGP总线只支持二分频。

安全保护技术：由于目前病毒的危害很大，因此一些安全保护技术也必不可少。比如在对BIOS的保护上，就采取了多种形式。最简单的就是在BIOS旁加上写保护跳线，以避免病毒侵害；还有就是使用双BIOS，即使一个被破坏了也有另一个可以工作，如技嘉就采用了这种技术；再有即使一些厂商自己开发的集成几种技术的产品，如联想的“无敌锁”，“宙斯盾”等，其原理也是避免病毒侵害BIOS。 主板诊断技术也是一项比较实用的技术。如微星的D-LED技术，就是将故障用四个灯亮的颜色来表示。如显卡故障用两个红灯表示，而内存故障用三个红灯表示等。这样可以帮助一些初学者判断故障的所在，以便对症下药。而硕泰克开发的语音提示技术将语音芯片固化在主板上，可以将故障直接“说”出来(用机箱小喇叭发声)，更是满足一些追新族的喜好。

新型接口：AGP Pro接口：随着显卡处理功能的强大，其能量消耗也越来越高，传统的AGP插槽已经不能满足需要。而AGP Pro插槽比普通AGP插槽长一些，增加了一些接地线，使得信号更加稳定，在大电流的干扰下，这样可以提高数据传输的准确性，使显卡更加稳定地工作。 CNR插槽：(communication and networking riser)是出现在新的i815E芯片组上的新插槽。它支持以太网卡和MODEM，功能有点类似于AMR插槽，但是更强大。

ACPI电源接口：是Pentium以上主板特有的一种新功能。作用是在管理电脑内部各种部件时尽量做到节省能源。 SMP对称多处理模式： 它的特点是当插入两个CPU同时工作时，就支持交替运行方式好提高CPU的工作效率。但两个CPU的特性一定要完全一致。

AGP插槽：（Accelerated-Graphics-Port:加速图形端口）它是一种为缓解视频带宽紧张而制定的总线结构。它将显示卡与主板的芯片组直接相连，进行点对点传输。但是它并不是正规总线，因它只能和AGP显卡相连，故不具通用和扩展性。其工作的频率为66MHz，是PCI总线的一倍，并且可为视频设备提供528MB/S的数据传输率。所以实际上就是PCI的超集。

AMD-640芯片组：该芯片组是AMD公司的产品。它的一些特性为：支持所有的Pentium级CPU，特别优化AMD-K6-CPU；能真正发挥66MHZ以上的SDRAM高速性能；还具有遥控唤醒功能；而且内部带有USB接口控制器等；但它不支持AGP。

ASUS插槽：是华硕公司在其生产的主板上别出新裁的一个设计。其结构是在PCI插槽后又增加了一个短槽，以配合华硕自己生产的配套声卡使用。

ATX板型：它的布局是"横"板设计，就象把Baby-AT板型放倒了过来，这样做增加了主板引出端口的空间，使主板可以集成更多的扩展功能。

ATX电源： ATX电源是ATX主板配套的电源，为此对它增加了一些新作用；一是增加了在关机状态下能提供一组微电流（5V/100MA）供电。二是增加有3.3V低电压输出。

Baby-AT板型：也就是"竖"型板设计，即短边位于机箱后面板，这样就使主板上各种引出端口的空间很小，不利于插接各种引线及外设。

BIOS：BIOS（Basic-无效-&-Output-System:基本输入/输出系统）是事先固化在主板的一个专用EPROM芯片中的一组特殊的管理程序。主板就是通过这个管理程序来实现各个部件之间的控制和协调的。

CMOS：CMOS是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片，用它来保护当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。现在的厂商们把CMOS程序做到了BIOS芯片中，当开机时就可按特定键进入CMOS设置程序对系统进行设置。所以又被人们叫做BIOS设置。

COM端口：一块主板一般带有两个COM串行端口。通常用于连接鼠标及通讯设备（如连接外置式MODEM进行数据通讯）等。
Concurrent PCI: 并发PCI总线技术，它实际是PCI的一种增强型结构。用于提高CPU与PCI、CPU与内存之间并处理能力，是INTEL最先在440FX中投入使用的。

DIMM：（Dual-Inline-Menory-Modules)是一种新型的168线的内存插槽。它要比SIMM插槽要长一些，可以插下容量不超过64MB的单条SDRAM。并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。

EIDE：EIDE（Enhanced IDE：增强性IDE）是Pentium以上主板必备的标准接口。主板上通常可提供两个EIDE接口。在Pentium以上主板中，EDIE都集成在主板中。

EISA总线：EISA(Extended Industy Standard Architecture:扩展工业标准结构）是EISA集团为配合32位CPU而设计的总线扩展标准。它吸收了IBM微通道总线的精华，并且兼容ISA总线。但现今已被淘汰。

FLASH：FLASH（FLASH-MEMORY：快擦型存储器）它是Pentium以上主板用来存储BIOS程序的。

I/O芯片：在486以上档次的主板，板上都有I/O控制电路。它负责提供串行、并行接口及软盘驱动器控制接口。

IDE：IDE(Integrated Device Electronics)：一种磁盘驱动器的接口类型，也称为ATA接口。最多可连接两个IDE接口设备，允许最大硬盘容量528兆，控制线和数据线合用一根40芯的扁平电缆与硬盘接口卡连接。数据传输率为3.3Mbps-8.33Mbps。

ISA总线：(Industry Standard Architecture:工业标准体系结构）是IBM公司为PC/AT电脑而制定的总线标准，为16位体系结构，只能支持16位的I/O设备，数据传输率大约是8MB/S。也称为AT标准。

MVP3芯片组：它是VIA公司继VP3之后推出的最新产品。它支持100MHz总线频率。主板内存最大可扩展到1GB，支持ECC功能，CACHE最大可支持2MB。

PCI总线：PCI(Peripheral Component Interconnect:外部设备互连）是由SIG集团推出的总线结构。它具有132 MB/S的数据传输率及很强的带负载能力，可适用于多种硬件平台，同时兼容ISA、EISA总线。

POST：POST（Power-On-Self-Test:上电自检）是BIOS功能的一个主要部分。它负责完成对CPU、主板、内存、软硬盘子系统、显示子系统（包括显示缓存）、串并行接口、键盘、CD-ROM光驱等的检测。

PS/2鼠标接口：现今的一些流行的Pentium主板多采用PS/2做鼠标接口，而放弃常用的串行接口做鼠标接口。这样做的好处是：既可以节省一个常规串行接口，又可以使鼠标得到更快的响应速度。

SCSI：SCSI（Small Computer System Interface:小型电脑系统界面）它可以驱动至少6个（SCSI-3标准扩充后达32个）外部设备；并且它的数据传输率可达到40Mbps、SCSI-3更可高达80Mbps。

SIMM：（Single-In-line-Menory-Modules)是我们经常用到的一种内存插槽，它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片集成在一小块电路板上。

VL局部总线：(Local Bus:局部总线）是VESA组织设计的一种开放性总线结构。它的宽度是32位，工作频率是33MHz，数据传输率为132MB/S。但是它的定义标准不严格，兼容性不好，并且带负载能力相对来说比较低，所以已经被PCI代替。

VP3芯片组：它是VIA公司于1997年第四季度推出的最新产品。它是用于Socket 7结构的主板。它的主要性能指标为：支持所有的Pentium级CPU，CPU的最高频率可到300MHz，支持第二代SDRAM内存；最大可扩展到1GB。

电池：Pentium级主板多数用的是锂电池，只有少数用全封闭结构式电池。它是用来保持主板CMOS数据的。

免跳线主板：它是指CPU的主频、工作电压及主板总线工作频率设置均不使用常规的跳线进行设置，而是通过Setup（系统BIOS）进行"软"设置。

内存：内存实质上是一或多组的集成电路，具备数据的输入输出和数据存储的功能。因其存储信息的功能各不相同，所以分为只读、可改写的只读和随机存储器。

芯片组：（Chipset）是构成主板电路的核心。一定意义上讲，它决定了主板的级别和档次。它就是"南桥"和"北桥"的统称，就是把以前复杂的电路和元件最大限度地集成在几颗芯片内的芯片组。
显卡篇

EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：扩展数据输出DRAM。对DRAM的访问模式进行一些改进，缩短内存有效访问的时间。

VRAM (Video DRAM)：视频RAM。这是专门为了图形应用优化的双端口存储器（可同时与RAMDAC以及CPU进行数据交换），能有效地防止在访问其他类型的内存时发生的冲突。

WRAM (WINDOWS RAM)：增强型VRRAM，性能比VRAM提高20%，可加速常用的如传输和模式填充等视频功能。

SDRAM (Synchronous DRAM)：同步DRAM。它与系统总线同步工作，避免了在系统总线对异步DRAM进行操作时同步所需的额外等待时间，可加快数据的传输速度。

SGRAM (Synchronous Graphics DRAM)：同步图形RAM，增强型SDROM。它支持写掩码和块写。写掩码能够减少或消除对内存的读-修改-写的操作；块写有利于前景或背景的填充。SGRAM大大地加快了显存与总线之间的数据交换。（如：丽台S680、Banshee）

MDRAM (Multibank DRAM)：多段DRAM。MDRAM可划分为多个独立的有效区段，减少了每个进程在进行显示刷新、视频输出或图形加速时的时间损耗。

RDRAM (Rambus DRAM)：主要用于特别高速的突发操作，访问频率高达500MHz，而传统内存只能以50MHz或75MHz进行访问。RDRAM的16 Bit 带宽可达 1.6Gbps（EDO的极限带宽是533Mbps），32Bit带宽更是高达4 Gbps。

二、3D显卡的基本3D功能：

1. Alpha Blending: ALPHA混合。ALPHA是3D纹理元素颜色特性中的特殊通道，利用它可对纹理(Texture)图象进行颜色混合，产生透明效果。
2. Billinear Filternig: 双线过滤。一种纹理映射技术，能够减少在纹理缩放时由于色彩分配不均而产生的块状图。
3. Dithering：抖动。这是变化颜色像素(Pixel)的排列以得到一种新颜色的过程。
4. Flat Shading：一种基本的绘制技术，用它绘制的每个三角形内部都使用同种颜色。
5. Fogging：雾化。将某种颜色与背景混合从而隐藏背景以达到雾状效果。
6. Gouraud Shading：用三角形顶点的颜色来进行插值(Interpolation)得到三角形内部每个点颜色。
7. Mipmap：MIP映射。它可以在内存中保存不同分辨率和尺寸的纹理图形，当3D对象移动时允许纹理光滑变化。
8. Perspective Correction：透视修正。在不同的角度和距离都能更真实地反映在3D场景中进行纹理光滑变化。
9. Point Sampled：点抽样。一种简单的纹理映射技术，用最近的纹理元素来决定当前点的颜色。
10. Texture Mapping：纹理映射。在3D物体上贴上位图(Bitmap)或图象，使物体具有真实感。
11. Transparency：透明。
12. Z-BUFFER：它是用来存放场景象素深度的显存区。
13. Gamma Correction：伽玛纠正。为了补偿由于显示器偏差而导致的图形失真，伽玛纠正就对图形进行亮度纠正。

三、3D显卡的三大API

API(Application Progam Interface 应用程序接口)：是3D应用程序和3D显卡进行通讯的软件接口。

1.Direct 3D: 它是MICROSOFT的Direct X中的中间接口界面。在某些3D功能无法由硬件实现时，Direct 3D可以用软件仿真大多数3D功能，提高3D图形显示速度，它的动画特征质量相当高，非常适用于游戏开发。
2.Heidi(也叫Quick Draw 3D)：它是一个纯粹的立即模式窗口，主要适用于应用开发，Heidi灵活多变，能够处理非常复杂的几何图形，扩展能力强，支持交互式渲染，最主要的是它得到了Autodesk的大力支持（Autodesk 就是著名的AUTOCAD和3D SUTDIO、3DMAX生产厂家）
3.OpenGL(开放式三维图形库)是由SGI公司所开发的（SGI一间生产非PC图形工作站的公司，包括其软件Waterfull alias maya，其知名度相当于PC界的Intel)。OpenGL是一个独立平台，具有可移植性。它能够快速绘制2D和3D对象，在分布式环境中协同工作，是大型科学和工程进行高复杂3D图形设计的标准应用程序接口。

16-、 24-和32-位色：16位色能在显示器中显示出65,536种不同的颜色，24位色能显示出1670万种颜色，而对于32位色所不同的是，它只是技术上的一种概念，它真正的显示色彩数也只是同24位色一样，只有1670万种颜色。对于处理器来说，处理32位色的图形图像要比处理24位色的负载更高，工作量更大，而且用户也需要更大的内来存运行在32位色模式下。

2D卡：没有3D加速引擎的普通显示卡。

3D卡：有3D图形芯片的显示卡。它的硬件功能能够完成三维图像的处理工作，为CPU减轻了工作负担。通常一款3D加速卡也包含2D加速功能，但是还有个别的显示卡只具有3D图像加速能力，比如Voodoo2。

Accelerated Graphics Port (AGP)高速图形加速接口：AGP是一种PC总线体系，它的出现是为了弥补PCI的一些不足。AGP比PCI有更高的工作频率，这就意味着它有更高的传输速度。AGP可以用系统的内存来当作材质缓存，而在PCI的3D显卡中，材质只能被储存在显示卡的显存中。

Alpha Blending（透明混合处理）：它是用来使物体产生透明感的技术，比如透过水、玻璃等物理看到的模糊透明的景象。以前的软件透明处理是给所有透明物体赋予一样的透明参数，这显然很不真实；如今的硬件透明混合处理又给像素在红绿蓝以外又增加了一个数值来专门储存物体的透明度。高级的3D芯片应该至少支持256级的透明度，所有的物体（无论是水还是金属）都由透明度的数值，只有高低之分。

Anisotropic Filtering (各向异性过滤）：（请先参看二线性过滤和三线性过滤）各向异性过滤是最新型的过滤方法，它需要对映射点周围方形8个或更多的像素进行取样，获得平均值后映射到像素点上。对于许多3D加速卡来说，采用8个以上像素取样的各向异性过滤几乎是不可能的，因为它比三线性过滤需要更多的像素填充率。但是对于3D游戏来说，各向异性过滤则是很重要的一个功能，因为它可以使画面更加逼真，自然处理起来也比三线性过滤会更慢。

Anti-aliasing（边缘柔化或抗锯齿）：由于3D图像中的物体边缘总会或多或少的呈现三角形的锯齿，而抗锯齿就是使画面平滑自然，提高画质以使之柔和的一种方法。如今最新的全屏抗锯齿（Full Scene Anti-Aliasing）可以有效的消除多边形结合处（特别是较小的多边形间组合中）的错位现象,降低了图像的失真度。全景抗锯齿在进行处理时,须对图像附近的像素进行2-4次采样,以达到不同级别的抗锯齿效果。3dfx在驱动中会加入对2x2或4x4抗锯齿效果的选择,根据串联芯片的不同,双芯片Voodoo5将能提供2x2的抗锯齿效果,而四芯片的卡则能提供更高的4x4抗锯齿级别。简而言之，就是将图像边缘及其两侧的像素颜色进行混合，然后用新生成的具有混合特性的点来替换原来位置上的点以达到柔化物体外形、消除锯齿的效果。

API（Application Programming Interface）应用程序接口：API是存在于3D程序和3D显示卡之间的接口，它使软件运行与硬件之上。为了使用3D加速功能，就必须使用显示卡支持的API来编写程序，比如Glide, Direct3D或是OpenGL。

Bi-linear Filtering（二线性过滤）：是一个最基本的3D技术，现在几乎所有的3D加速卡和游戏都支持这种过滤效果。当一个纹理由小变大时就会不可避免的出现“马赛克”现象，而过滤能有效的解决这一问题，它是通过在原材质中对不同像素间利用差值算法的柔化处理来平滑图像的。其工作是以目标纹理的像素点为中心，对该点附近的4个像素颜色值求平均，然后再将这个平均颜色值贴至目标图像素的位置上。通过使用双线性过滤，虽然不同像素间的过渡更加圆滑，但经过双线性处理后的图像会显得有些模糊Environment Mapped Bump Mapping（环境映射凹凸贴图）：真实世界中的物体表面都是不光滑的，所以需要通过凹凸模拟技术来体现真实物体所具有的凹凸起伏和褶皱效果。传统的3D显卡多采用浮雕（Emboss）效果来近似实现凸凹映射，这种浮雕效果的逼真度有限，难以显示细微的棱角处的反光效果和在复杂的多环境光源中的效果，更无法表现水波和气流等特殊流体的效果。而环境映射凸凹贴图是在标准表面纹理上再映射一层纹理，纹理的内容相同但位置相错，错位深度由深度信息和光源位置决定，再根据表现对象的不同，将下层纹理进一步处理为上层纹理的阴影或底面，这样就逼真地模拟出了真实物体表面的凸凹褶皱效果。

Gouraud Shading（高氏渲染）：这是目前较为流行的着色方法，它为多边形上的每一个点提供连续色盘，即渲染时每个多边形可使用无限种颜色。它渲染的物体具有极为丰富的颜色和平滑的变色效果。

Mip-mapping（Mip映射）：Mip-mapping的核心特征是根据物体的景深方向位置发生变化时，Mip映射根据不同的远近来贴上不同大小的材质贴图，比如近处贴512x512的大材质，而在远端物体贴上较小的贴图。这样不仅可以产生更好的视觉效果,同时也节约了系统资源。

Phong Shading（补色渲染）：这是目前最好、最复杂的着色方法，效果也要优于Gouraud Shading。它的优势在于对“镜面反光”的处理，通过对模型上每一个点都赋予投射光线的总强度值，因此能实现极高的表面亮度，以达到“镜面反光”的效果。

S3TL（Transform and lighting）（“变形与光源”技术）：该技术类似于nVidia最新的T&L技术，它可以大大减轻CPU的3D管道的几何运算过程。“变形与光源”引擎可用于将来的OpenGL和DirectX 7图形接口上，使游戏中的多边形生成率提高到4到10倍。这极大的减轻了软件的复杂性，也使CPU的运算负担得到极大的降低，因此对于CPU浮点速度较慢的系统来说，在此技术的支持下也能有较高速度的图形处理能力。

S3TC（S3 Texture Compression）/DXTC/FXT1：S3TC是S3公司提出的一种纹理压缩格式，其目的是通过对纹理的压缩，以达到节约系统带宽并提高效能的目的。S3TC就是通过压缩方式，利用有限的纹理缓存空间来存储更多的纹理,因为它支持6:1的压缩比例,所以6M的纹理可以被压缩为1M存放在材质缓存中，从而在节约了缓存的同时也提高了显示性能。

DXTC和FXT1都是与S3TC类似的技术，它们分别是微软和3dfx开发的纹理压缩标准，DXTC虽然在Direct 6中就提供了支持，但至今也没有得到游戏的支持，而FXT1能提供比S3TC更高的压缩比，达到8:1，同时它也将在3dfx新版本的Glide中得到支持。

T&L（Transform and Lighting）变形与光源处理：这是nVidia为提高画质而研究出来的一种新型技术，以往的显卡技术中，为了使物体图象真实，就不得不大量增加多边形设计，这样就会导致速度下降，而采用较少的多边形呢，画面又很粗糙。GeForce256中采用的这种T&L技术其特点是能在不增加物体多边形的前提下，进一步提高物体表面的边缘圆滑程度，使图像更真实准确生动。此外光源的作用也得到了重视：传统的光源处理较为单一，无生动感可言，而GeForce256拥有强大的光源处理能力，在硬件上它支持8个独立光源，加上GPU的支持，即时处理的光源将让画面变得更加生动真实，可以产生带有反射性质的光源效果。

Trilinear Filtering（三线性过滤）：三线性过滤就是用来减轻或消除不同组合等级纹理过渡时出现的组合交叠现象。它必须结合双线性过滤和组合式处理映射一并使用。三线性过滤通过使用双线性过滤从两个最为相近的LOD等级纹理中取样来获得新的像素值，从而使两个不同深度等级的纹理过渡能够更为平滑。也因为如此，三线性过滤必须使用两次的双线性过滤，也就是必须计算2x4=8个像素的值。对于许多3D加速开来说，这会需要它们两个时钟周期的计算时间。

W-Buffer：W-Buffer的作用与Z-Buffer类似，但它的作用范围更孝精度更高。它可以将不同物体和同一物体部分间的位置关系进行更加细致的处理。

Z-Buffer：这是一项处理3D物体深度信息的技术，它对不同物体和同一物体不同部分的当前Z坐标进行纪录，在进行着色时，对那些在其他物体背后的结构进行消隐，使它们不被显示出来。Z Bufer所用的位数越高，则代表它能够提供的景深值就越精确。现在图形芯片大多支持24bit Z-Buffer而加上8bit的模板Buffer后合称为32bit Z-Buffer。

显示内存：与主板上的内存功能一样，显存是也是用于存放数据的，只不过它存放的是显示芯片处理后的数据。

3D显示卡的显存较一般显示卡的显存不同之处在于：3D显示卡上还有专门存放纹理数据或Z－Buffer数据的显存，例如带有6M显存的VooDoo Ⅰ显示卡，其中的2M显存就是用于上述用途。由于3D的应用越来越广泛，以及大分辨率、高色深图形处理的需要，对显存速度的要求也越来越快，从早期的DRAM，过渡到EDO－DRAM，一直到现在经常见到的SDRAM和SGRAM，速度越来越快，性能越来越高。图四的显存是SGRAM，注意它的四边都有引线的，很好区别；图五的显存是EDO－DRAM，与SDRAM一样采用了两边引线。区分EDO－DRAM和SDRAM可以看该显存上的编号，一般标有“08”、“10”、“12”等字样的多数是SDRAM，标有“80”、“70”、“60”、“－6”、“－7”等字样的多半是EDO－DRAM。除了上述3种常见的显存外，还有更专业的显存如VRAM（双端口视频内存）、WRAM（窗口内存）、RDRAM、CacheRAM等，多用在图形处理工作站上。显存的大小不固定，从单条256K、512K、1M到单条2M都有，因此不能仅看显存芯片的个数来猜测显示卡上有多大显存容量。很多老的显示卡上还有一些空插座用来扩充显存（如右图，插座上已经插上了显存），我们在扩充时要注意与显示卡上已有的显存速度配套，例如原显存是80ns，新扩充的显存也要是80ns的，这样在扩充后才能少出故障。

BIOS：又称“VGA BIOS”，主要用于存放显示芯片与驱动程序之间的控制程序，另外还存放有显示卡型号、规格、生产厂家、出厂时间等信息。打开计算机时，通过显示BIOS内一段控制程序，将这些信息反馈到屏幕上。图六是3块不同显示卡上的显示BIOS，可见外形不尽相同。早期显示BIOS是固化在ROM中的，不可以修改，而现在的多数显示卡则采用了大容量的EPROM，即所谓的“Flash －BIOS”，可以通过专用的程序进行改写升级。别小看这一功能，很多显示卡就是通过不断推出升级的驱动程序来修改原程序中的错误、适应新的规范、提升显示卡的性能的。对用户而言，软件提升性能的做法深得人心。

总线接口：显示卡要插在主板上才能与主板互相交换数据。与主板连接的接口主要ISA、EISA、VESA、PCI、AGP等几种。ISA和EISA总线带宽窄、速度慢，VESA总线扩展能力差，这三种总线已经被市场淘汰。现在常见的是PCI和AGP接口。PCI接口是一种总线接口，以1/2或1/3的系统总线频率工作（通常为33MHz），如果要在处理图像数据的同时处理其它数据，那么流经PCI总线的全部数据就必须分别地进行处理，这样势必存在数据滞留现象，在数据量大时，PCI总线就显得很紧张。AGP接口是为了解决这个问题而设计的，它是一种专用的显示接口（就是说，可以在主板的PCI插槽中插上声卡、显示卡、视频捕捉卡等板卡，却不能在主板的AGP插槽中插上除了AGP显示卡以外的任何板卡），具有独占总线的特点，只有图像数据才能通过AGP端口。另外AGP使用了更高的总线频率（66MHz），这样极大地提高了数据传输率。

目前的显示卡接口的发展趋势是AGP接口。要留意的是，AGP技术分AGP1×和AGP2×，后者的最大理论数据传输率是前者的2倍，今年将会出现支持AGP4×的显示卡（例如Savage4），它的最大理论数据传输率将达到1056MB/s。区分AGP接口和PCI接口很容易，前者的引线上下宽度错开，俗称“金手指”，后者的引线上下一般齐。

VGA插座：它是一个有15个插孔的插座，外型有点像大写的“D”（防止插反了）。与声卡上的MIDI连接器不同的是，VGA插座的插孔分3排设置，每排5个孔，MIDI连接器有9个孔，2排设置，比前者长一点，扁一点。VGA插座是显示卡的输出接口，与显示器的D形插头相连，用于模拟信号的输出。

特性连接器：是显示卡与视频设备交换数据的通道，通常是34针，也有26针的。它的作用不大，早期用于连接MPEG硬解压卡作为信息传送的通道。

其它部件：晶体振荡器：不锈钢外壳，比较显眼。其作用是产生固定的振荡频率使显示卡各部件 的运作有个参考的基准。

S端子：部分显示卡通过它完成向电视机（或监视器）输出的功能，5个插孔呈半圆分布，与电视机上的S端子完全相同。

贴片电阻：中、高档显示卡由于工作频率很高，采用了无引线的贴片电阻以减少干扰。它们是构成显示卡电气线路的一部分。 。

内存篇

BANK：BANK是指内存插槽的计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流的基本运作单位。

内存的速度：内存的速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费的时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位。

内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量，是决定内存模块的设计的主要因素。

SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有数目不等的记忆IC，可分为以下2种型态：

72PIN：72脚位的单面内存模块是用来支持32位的数据处理量。

30PIN：30脚位的单面内存模块是用来支持8位的数据处理量。

DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用来支持64位或是更宽的总线，而且只用3.3伏特的电压，通常用在64位的桌上型计算机或是服务器。

RIMM：RIMM模块是下一世代的内存模块主要规格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片组所支持的内存模块，其频宽高达1.6Gbyte/sec。

SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 这是一种改良型的DIMM模块，比一般的DIMM模块来得小，应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等。

PLL： 为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确的存取资料。

Rambus 内存模块 （184PIN）： 采用Direct RDRAM的内存模块，称之为RIMM模块，该模块有184pin脚，资料的输出方式为串行，与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。

6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是电路印刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层的玻璃纤维做成，通常SDRAM会使用6层板，虽然会增加PCB的成本但却可免除噪声的干扰，而4层板虽可降低PCB的成本但效能较差。

Register：是缓存器的意思,其功能是能够在高速下达到同步的目的。

SPD：为Serial Presence Detect 的缩写，它是烧录在EEPROM内的码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测的动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。

Parity和ECC的比较：同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码(error detection codes)上，他们增加一个检查位给每个资料的字元(或字节)，并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。

缓冲器和无缓冲器（Buffer V.S. Unbuffer）：有缓冲器的DIMM 是用来改善时序(timing)问题的一种方法无缓冲器的DIMM虽然可被设计用于系统上，但它只能支援四条DIMM。若将无缓冲器的DIMM用于速度为100Mhz的主机板上的话，将会有存取不良的影响。而有缓冲器的DIMM则可使用四条以上的内存，但是若使用的缓冲器速度不够快的话会影响其执行效果。换言之，有缓冲器的DIMM虽有速度变慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。

自我充电 (Self-刷新)：DRAM内部具有独立且内建的充电电路于一定时间内做自我充电， 通常用在笔记型计算机或可携式计算机等的省电需求高的计算机。

预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL。例如CL=3，表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显著影响。

时钟信号 (Clock)：时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用，同步记忆体的存取动作必需与时钟信号同步。

电子工程设计发展联合会议 (JEDEC)：JEDEC大部分是由从事设计、发明的制造业尤以有关计算机记忆模块所组成的一个团体财团，一般工业所生产的记忆体产品大多以JEDEC所制定的标准为评量。

只读存储器ROM (Read Only Memory)：ROM是一种只能读取而不能写入资料之记燱体，因为这个特所以最常见的就是主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic 无效/Output System)因为BISO是计算机开机必备的基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口，所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：为一种将资料写入后即使在电源关闭的情况下，也可以保留一段相当长的时间，且写入资料时不需要另外提高电压，只要写入某一些句柄，就可以把资料写入内存中了。

EPROM (Erasable Programmable ROM)：为一种可以透过紫外线的照射将其内部的资料清除掉之后，再用烧录器之类的设备将资料烧录进 EPROM内，优点为可以重复的烧录资料。

程序规画的只读存储器 (PROM)：是一种可存程序的内存，因为只能写一次资料，所以它一旦被写入资料若有错误，是无法改变的且无法再存其它资料，所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用。

MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。

随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。

动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然
资料会不见。

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多数为72IPN或30PIN的模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内的资
料。

EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。

SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新的DRAM架构的技术；它运用晶片内的clock使输入及输出能同步进行。所谓clock同步是指记忆体时脉与CPU的时脉能同步存取资料。SDRAM节省执行指令及数据传输的时间，故可提升计算机效率。

DDR：DDR 是一种更高速的同步内存，DDR SDRAM为168PIN的DIMM模块，它比SDRAM的传输速率更快， DDR的设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统。

DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。

DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它的速度约一般DRAM的10倍以上，虽有这样强的效能，但使用后内存控制器需要相当大的改变，所以目前这一类的内存大多使用在游戏机器或者专业的图形加速适配卡上。

VRAM (Video RAM)：与DRAM最大的不同在于其有两组输出及输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料。

WRAM (Window RAM)：属于VRAM的改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式。

MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的内部分成数个各别不同的小储存库 (BANK)，也就是数个属立的小单位矩阵所构成。每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或加速卡中。

静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory 的缩写，通常比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定。所谓静态的意义是指内存资料可以常驻而不须随时存龋因为此种特性，静态随机处理内存通常被用来做高速缓存。

Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM，通常被用于电脑上的 Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机的系统时脉外。

Sync SRAM：为同步SRAM，它的工作时脉与系统是同步的。

SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数增加绘图控制器。

高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一种标准的卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品，其种类可以分为：

无效 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的记忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。
无效 2：5.5mm的厚度，通常设计为笔记计算机所使用的调制解调器接口(Modem)。
无效 3：10.5mm的厚度，被运用为连接硬盘的ATA接口。
无效 4：小型的PCMCIA卡，大部用于数字相机。

FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。

重新标示过的内存模块（Remark Memory Module）：在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块，所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过，使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来，业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品，最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。

内存的充电 (刷新)：主存储器是DRAM组合而成，其电容需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K 刷新的分类，而2K比4K有较快速的刷新但2K比4K耗电。
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硬盘篇

硬盘的转速(Rotationl Speed)： 也就是硬盘电机主轴的转速，转速是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，它的快慢在很大程度上影响了硬盘的速度，同时转速的快慢也是区分硬盘档次的重要标志之一。硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的速度。目前市场上常见的硬盘转速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理论上，转速越快越好。因为较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间。可是转速越快发热量越大，不利于散热。现在的主流硬盘转速一般为7200rpm以上。?

随着硬盘容量的不断增大，硬盘的转速也在不断提高。然而，转速的提高也带来了磨损加剧、温度升高、噪声增大等一系列负面影响。于是，应用在精密机械工业上的液态轴承马达（Fluid dynamic bearing motors）便被引入到硬盘技术中。液态轴承马达使用的是黏膜液油轴承，以油膜代替滚珠。这样可以避免金属面的直接磨擦，将噪声及温度被减至最低；同时油膜可有效吸收震动，使抗震能力得到提高；更可减少磨损，提高寿命。

平均寻道时间（Average seek time）：指硬盘在盘面上移动读写头至指定磁道寻找相应目标数据所用的时间，它描述硬盘读取数据的能力，单位为毫秒。当单碟片容量增大时，磁头的寻道动作和移动距离减少，从而使平均寻道时间减少，加快硬盘速度。目前市场上主流硬盘的平均寻道时间一般在9ms以下，大于10ms的硬盘属于较早的产品，一般不值得购买。?

平均潜伏时间（Average latencytime）： 指当磁头移动到数据所在的磁道后，然后等待所要的数据块继续转动到磁头下的时间，一般在2ms－6ms之间。

平均访问时间（Average access time）： 指磁头找到指定数据的平均时间，通常是平均寻道时间和平均潜伏时间之和。平均访问时间最能够代表硬盘找到某一数据所用的时间，越短的平均访问时间越好，一般在11ms－18ms之间。注意：现在不少硬盘广告之中所说的平均访问时间大部分都是用平均寻道时间所代替的。?

突发数据传输率（Burst data transfer rate）：指的是电脑通过数据总线从硬盘内部缓存区中所读取数据的最高速率。也叫外部数据传输率（External data transfer rate）。目前采用UDMA/66技术的硬盘的外部传输率已经达到了66.6MB/s。?

最大内部数据传输率（Internal data transfer rate）： 指磁头至硬盘缓存间的最大数据传输率，一般取决于硬盘的盘片转速和盘片数据线密度（指同一磁道上的数据间隔度）。也叫持续数据传输率（sustained transfer rate）。一般采用UDMA/66技术的硬盘的内部传输率也不过25-30MB/s，只有极少数产品超过30MB/s，由于内部数据传输率才是系统真正的瓶颈，因此大家在购买时要分清这两个概念。不过一般来讲，硬盘的转速相同时，单碟容量大的内部传输率高；在单碟容量相同时，转速高的硬盘的内部传输率高。

自动检测分析及报告技术（Self-Monitoring Analysis and Report Technology，简称S.M.A.R.T）： 现在出厂的硬盘基本上都支持S.M.A.R.T技术。这种技术可以对硬盘的磁头单元、盘片电机驱动系统、硬盘内部电路以及盘片表面媒介材料等进行监测，当S.M.A.R.T监测并分析出硬盘可能出现问题时会及时向用户报警以避免电脑数据受到损失。S.M.A.R.T技术必须在主板支持的前提下才能发生作用，而且S.M.A.R.T技术也不能保证能预报出所有可能发生的硬盘故障。

磁阻磁头技术MR(Magneto－Resistive Head)： MR(MAGNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁头的简称。MR技术可以更高的实际记录密度、记录数据，从而增加硬盘容量，提高数据吞吐率。目前的MR技术已有几代产品。MAXTOR的钻石三代/四代等均采用了最新的MR技术。磁阻磁头的工作原理是基于磁阻效应来工作的，其核心是一小片金属材料,其电阻随磁场变化而变化,虽然其变化率不足2%,但因为磁阻元件连着一个非常灵敏的放大器,所以可测出该微小的电阻变化。MR技术可使硬盘容量提高40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样，是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据，但是GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，比MR磁头更为敏感，相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化，从而可以实现更高的存储密度，现有的MR磁头能够达到的盘片密度为3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁头可以达到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁头已经处于成熟推广期，在今后的数年中，它将会逐步取代MR磁头，成为最流行的磁头技术。

缓存： 缓存是硬盘与外部总线交换数据的场所。硬盘的读数据的过程是将磁信号转化为电信号后，通过缓存一次次地填充与清空，再填充，再清空，一步步按照PCI总线的周期送出，可见，缓存的作用是相当重要的。在接口技术已经发展到一个相对成熟的阶段的时候，缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素。目前主流硬盘的缓存主要有512KB和2MB等几种。其类型一般是EDO DRAM或SDRAM，目前一般以SDRAM为主。根据写入方式的不同，有写通式和回写式两种。写通式在读硬盘数据时，系统先检查请求指令，看看所要的数据是否在缓存中，如果在的话就由缓存送出响应的数据，这个过程称为命中。这样系统就不必访问硬盘中的数据，由于SDRAM的速度比磁介质快很多，因此也就加快了数据传输的速度。回写式就是在写入硬盘数据时也在缓存中找，如果找到就由缓存就数据写入盘中，现在的多数硬盘都是采用的回写式硬盘，这样就大大提高了性能。

连续无故障时间（MTBF）：指硬盘从开始运行到出现故障的最长时间。一般硬盘的MTBF至少在30000或40000小时。?

部分响应完全匹配技术PRML(Partial Response Maximum Likelihood)：能使盘片存储更多的信息，同时可以有效地提高数据的读取和数据传输率。是当前应用于硬盘数据读取通道中的先进技术之一。PRML技术是将硬盘数据读取电路分成两段“操作流水线”，流水线第一段将磁头读取的信号进行数字化处理然后只选取部分“标准”信号移交第二段继续处理，第二段将所接收的信号与PRML芯片预置信号模型进行对比，然后选取差异最小的信号进行组合后输出以完成数据的读取过程。PRML技术可以降低硬盘读取数据的错误率，因此可以进一步提高磁盘数据密集度。

单磁道时间（Single track seek time）：指磁头从一磁道转移至另一磁道所用的时间。?

超级数字信号处理器(Ultra DSP)技术：用Ultra DSP进行数学运算，其速度较一般CPU快10到50倍。采用Ultra DSP技术，单个的DSP芯片可以同时提供处理器及驱动接口的双重功能，以减少其它电子元件的使用，可大幅度地提高硬盘的速度和可靠性。接口技术可以极大地提高硬盘的最大外部传输率，最大的益处在于可以把数据从硬盘直接传输到主内存而不占用更多的CPU资源，提高系统性能。

硬盘表面温度： 指硬盘工作时产生的温度使硬盘密封壳温度上升情况。硬盘工作时产生的温度过高将影响薄膜式磁头(包括MR磁头)的数据读取灵敏度，因此硬盘工作表面温度较低的硬盘有更好的数据读、写稳定性。

全程访问时间（Max full seek time）：指磁头开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间。?

接口技术：口技术可极大地提高硬盘的最大外部数据传输率,现在普遍使用的ULTRAATA/66已大幅提高了E-IDE接口的性能,所谓UltraDMA66是指一种由Intel及Quantum公司设计的同步DMA协议。使用该技术的硬盘并配合相应的芯片组，最大传输速度可以由16MB/s提高到66MS/s。它的最大优点在于把CPU从大量的数据传输中解放出来了，可以把数据从HDD直接传输到主存而不占用更多的CPU资源，从而在一定程度上提高了整个系统的性能。由于采用ULTRAATA技术的硬盘整体性能比普通硬盘可提高20%～60%,所以已成为目前E-IDE硬盘事实上的标准。

SCSI硬盘的接口技术也在迅速发展。Ultra160/mSCSI被引入硬盘世界，对硬盘在高计算量应用领域的性能扩展极有裨益，处理关键任务的服务器、图形工作站、冗余磁盘阵列（RAID）等设备将因此得到性能提升。从技术发展看，Ultra160/mSCSI仅仅是硬盘接口发展道路上的一环而已，200MB的光纤技术也远未达到止境，未来的接口技术必将令今天的用户瞠目结舌。

光纤通道技术具有数据传输速率高、数据传输距离远以及可简化大型存储系统设计的优点。目前，光纤通道支持每秒200MB的数据传输速率，可以在一个环路上容纳多达127个驱动器，局域电缆可在25米范围内运行，远程电缆可在10公里范围内运行。某些专门的存储应用领域，例如小型存储区域网络（SAN）以及数码视像应用，往往需要高达每秒200MB的数据传输速率和强劲的联网能力，光纤通道技术的推出正适应了这一需求。同时，其超长的数据传输距离，大大方便了远程通信的技术实施。由于光纤通道技术的优越性，支持光纤界面的硬盘产品开始在市场上出现。这些产品一般是大容量硬盘，平均寻道时间短，适应于高速、高数据量的应用需求，将为中高端存储应用提供良好保证。

IEEE1394：IEEE1394又称为Firewire（火线）或P1394，它是一种高速串行总线，现有的IEEE1394标准支持100Mbps、200Mbps和400Mbps的传输速率，将来会达到800Mbps、1600Mbps、3200Mbps甚至更高，如此高的速率使得它可以作为硬盘、DVD、CD－ROM等大容量存储设备的接口。IEEE1394将来有望取代现有的SCSI总线和IDE接口，但是由于成本较高和技术上还不够成熟等原因，目前仍然只有少量使用IEEE1394接口的产品，硬盘就更少了。

硬盘：英文“hard-disk”简称HD 。是一种储存量巨大的设备，作用是储存计算机运行时需要的数据。计算机的硬盘主要由碟片、磁头、磁头臂、磁头臂服务定位系统和底层电路板、数据保护系统以及接口等组成。 计算机硬盘的技术指标主要围绕在盘片大孝盘片多少、单碟容量、磁盘转速、磁头技术、服务定位系统、接口、二级缓存、噪音和S.M.A.R.T. 等参数上。

碟片：硬盘的所有数据都存储在碟片上，碟片是由硬质合金组成的盘片，现在还出现了玻璃盘片。目前的硬盘产品内部盘片大小有：5.25，3.5，2.5和1.8英寸（后两种常用于笔记本及部分袖珍精密仪器中，现在台式机中常用3.5英寸的盘片）。

磁头：硬盘的磁头是用线圈缠绕在磁芯上制成的，最初的磁头是读写合一的，通过电流变化去感应信号的幅度。对于大多数计算机来说，在与硬盘交换数据的过程中，读操作远远快于写操作，而且读/写是两种不同特性的操作，这样就促使硬盘厂商开发一种读/写分离磁头。在1991年，IBM提出了它基于磁阻（MR）技术的读磁头技术――各项异性磁 ,磁头在和旋转的碟片相接触过程中，通过感应碟片上磁场的变化来读取数据。在硬盘中，碟片的单碟容量和磁头技术是相互制约、相互促进的。
AMR（Anisotropic Magneto Resistive，AMR）：一种磁头技术，AMR技术可以支持3.3GB/平方英寸的记录密度，在1997年AMR是当时市场的主流技术。

GMR（Giant Magneto Resistive，巨磁阻）：比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上，GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。前3个层控制着磁头的电阻。在栓层中，磁场强度是固定的,并且磁场方向被相临的交换层所保持。而且自由层的磁场强度和方向则是随着转到磁头下面的磁盘表面的微小磁化区所改变的，这种磁场强度和方向的变化导致明显的磁头电阻变化，在一个固定的信号电压下面，就可以拾取供硬盘电路处理的信号。

OAW（光学辅助温式技术）：希捷正在开发的OAW是未来磁头技术发展的方向，OAW技术可以在1英寸宽内写入105000以上的磁道，单碟容量有望突破36GB。单碟容量的提高不仅可以提高硬盘总容量、降低平均寻道时间，还可以降低成本、提高性能。

PRML（局部响应最大拟然，Partial Response Maximum Likelihood）：除了磁头技术的日新月异之外，磁记录技术也是影响硬盘性能非常关键的一个因素。当磁记录密度达到某一程度后，两个信号之间相互干扰的现象就会非常严重。为了解决这一问题，人们在硬盘的设计中加入了PRML技术。PRML读取通道方式可以简单地分成两个部分。首先是将磁头从盘片上所读取的信号加以数字化，并将未达到标准的信号加以舍弃，而没有将信号输出。这个部分便称为局部响应。最大拟然部分则是拿数字化后的信号模型与PRML芯片本身的信号模型库加以对比，找出最接近、失真度最小的信号模型，再将这些信号重新组合而直接输出数据。使用PRML方式，不需要像脉冲检测方式那样高的信号强度，也可以避开因为信号记录太密集而产生的相互干扰的现象。 磁头技术的进步，再加上目前记录材料技术和处理技术的发展，将使硬盘的存储密度提升到每平方英寸10GB以上，这将意味着可以实现40GB或者更大的硬盘容量。

间隔因子：硬盘磁道上相邻的两个逻辑扇区之间的物理扇区的数量。因为硬盘上的信息是以扇区的形式来组织的，每个扇区都有一个号码，存取操作要通过这个扇区号，所以使用一个特定的间隔因子来给扇区编号而有助于获取最佳的数据传输率。
着陆区(LZ)：为使硬盘有一个起始位置，一般指定一个内层柱面作为着陆区，它使硬盘磁头在电源关闭之前停回原来的位置。着陆区不用来存储数据，因些可避免磁头在开、关电源期间紧急降落时所造成数据的损失。目前，一般的硬盘在电源关闭时会自动将磁头停在着陆区，而老式的硬盘需执行PARK命令才能将磁头归位。

反应时间：指的是硬盘中的转轮的工作情况。反应时间是硬盘转速的一个最直接的反应指标。5400RPM的硬盘拥有的是5.55 MS的反应时间，而7200RPM的可以达到4.17 MS。反应时间是硬盘将利用多长的时间完成第一次的转轮旋转。如果我们确定一个硬盘达到120周旋转每秒的速度，那么旋转一周的时间将是1/120即0.008333秒的时间。如果我们的硬盘是0.0041665秒每周的速度，我们也可以称这块硬盘的反应时间是4.17 ms(1ms=1/1000每秒)。

平均潜伏期（average latency）：指当磁头移动到数据所在的磁道后，然后等待所要的数据块继续转动（半圈或多些、少些）到磁头下的时间，单位为毫秒（ms）。平均潜伏期是越小越好，潜伏期小代表硬盘的读取数据的等待时间短，这就等于具有更高的硬盘数据传输率。

道至道时间（single track seek）：指磁头从一磁道转移至另一磁道的时间，单位为毫秒（ms）。

全程访问时间（max full seek）：指磁头开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间，单位为毫秒（ms）。

外部数据传输率：通称突发数据传输率（burst data transfer rate）：指从硬