三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

脚3月3日之前,路饭已经报道了三星Galaxy S7的拆解,不过内部究竟使用的是什么元件却还没有了解。如今,Chipworks已经对三星Galaxy S7 Edge进行芯片级分析,同时也带来了部分的X射线衍射图,就让我们看看三星的新机皇是如何丧心病狂地堆料吧。

CW拆的是一部T-Mobile版的S7 Edge,骁龙820处理器,土豪金。

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

主摄像头:索尼定制版IMX260

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

S7 Edge的摄像头为1200万像素,单个像素面积从S6的1.12μm提升到1.4μm。而光圈也从S6的F1.9提升到F1.7,号称是现在光圈最大的旗舰手机。

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

今年,三星还引入了“双像素相位对焦”功能,可以让S7在暗光环境下或者拍摄快速移动的物体时更快速,这一技术最早在佳能的EOS 70D单反相机上出现。

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

Chipworks测得,三星这颗相机模组尺寸是12.1x12.1x5.4mm,排线上印有SONY LOGO,CMOS的面积是6.69x5.55mm。

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

和之前索尼的CMOS不同的是,三星所使用的更加复杂和精细,很可能是索尼为三星深度定制的。

前置摄像头:三星S5K4E6XP

和后置这摄像头不同的是,三星的前置摄像头采用的是自家生产的CMOS。模组面积8.0x7.2x5.0mm,透视所得的具体型号是S5K4E6XP,单像素面积1.34μm,三星还设计了多层滤色片。

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

光学防抖芯片:意法半导体K2G2IS陀螺仪

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

手机主板:RAM用的是死对头

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

和Galaxy S6不同的是,这次与骁龙820一起封装的是来自SK海力士的LPDDR4 4G内存,型号H9KNNNCTUMU-BRNMH,至于为什么不采用自家生产的LPDDR4内存,据官方文档所示,这是目前最快的LPDDR4,速率3733Mbps。看来三星为了自家手机的最快速度,宁可采用对手的RAM芯片。

而NAND是三星自家的KLUBG4G1CE 32 GB,采用UFS2.0标准,MLC颗粒

触摸屏

三星 Galaxy S7 Edge内部做工分析

这一次三星Galaxy S7所采用的是自家生产的触摸IC型号是S6SA552X。

其他小组件:

麦克风:楼氏Knowles S1636/1638

音频:高通WCD9335解码、DSP D4A1A数字信号处理

指南针:AKM AK09911

压力传感器:博世BMP280

触摸传感器:三星S6SA552X

毫无疑问,三星对新机皇进行了丧心病狂地堆料,为了达到最快的速度甚至放弃了自家生产的RAM而改用死对头海力士的RAM,同时我们也看到了作为唯一一家能够进行垂直整合的厂商,三星有实力采购最好的元器件来设计和生产自家的旗舰手机。而且三星并没有在发布会上大书特书,吹嘘自家的黑科技,从这一点来看,国产手机还需要很长的路来走。可以预见的是,三星Galaxy S7/Edge上市之后将会牢牢坐稳机皇的宝座,直到下半年的Galaxy Note6或者iPhone7.